混合集成電路封裝_福英達錫膏
混合集成電路封裝_福英達錫膏
混合集成電路是通過將裸芯片直接固定到基板并與基板實現互連結構而形成的高組裝密度電路。混合集成電路可以是將兩種或多種元件封裝到一起形成微電子電路，例如將一個集成電路和一個無源電子元件封裝到一起，并安裝在PCB上。制作混合集成電路是一個較為簡單的程序，大致步驟包括將IC和無源元件組裝到同一塊基板上，然后再將他們用塑料等材料封裝起來。將元件組裝到同一塊基板上可以減少焊點數量，并且減少原件間距和電流路徑。
圖1. 混合集成電路。
混合集成電路可以分為兩大類，一種是薄膜混合集成電路，另一種是厚膜混合集成電路。薄膜混合集成電路的基板材料可以選擇玻璃或陶瓷，焊接后能帶來更好的散熱性能。基板上預制的互連導線和焊盤一般是通過物理/化學氣相沉積或濺射金屬薄膜所制成，然后通過光刻工藝對其蝕刻出特定圖案。氣相沉積通常采取閃蒸將金屬物質沉積在基板上。濺射法通過可以達到很高的薄膜沉積率并且不需要高溫處理。此外薄膜混合集成電路導線寬度和間距很小，通常為3–5mils。
厚膜混合集成電路也選擇陶瓷材料例如氧化鋁，氮化鋁和氧化鈹作為互連基板。不同的是厚膜混合集成電路采用絲網印刷技術在基板上涂覆錫膏等導電焊料形成較厚的膜。需要厚膜有良好的導電性，兼容性和黏著力。厚膜混合集成電路的導線寬度和間距很小。很多廠家會選擇10-20mils的導線。相比更細的導線，稍粗點的導線能夠提高元件產量。并且厚膜混合集成電路的比薄膜混合集成電路有著更好的成本優勢。
多芯片模組(MCM)
MCM是混合集成電路技術發展的一個擴展產物。混合集成技術對封裝的密度的提升造就了MCM的發展。這意味著MCM的基板上會含有更多的集成電路芯片。MCM的種類有MCM-L (疊層), MCM-C (共燒陶瓷)和MCM-D (淀積)。MCM-基板可以是剛性，柔性或剛性柔性混合。剛性MCM-L基板通常由環氧基聚合物樹脂電介質制成，并用玻璃纖維加固。MCM-L封裝技術是其中最低密度的一種，自然而然制造的成本也最低。值得注意的是MCM-L和板上芯片封裝技術(COB)非常相似。MCM-C是以共燒陶瓷混合集成電路技術為基礎而研發的封裝模組。陶瓷基板有高溫共燒和低溫共燒兩種。
圖2. 一種MCM結構。
深圳市福英達為客戶提供優質的超微錫膏產品，錫膏產品能用做集成電路封裝導電焊料。其中錫鉍銀錫膏產品熔點溫度能低至139℃，適用于低溫焊接的場景。福英達還可提供熔點達到280℃的金錫錫膏，滿足高溫焊接需求。此外福英達還有其他類型不同溫度的錫膏，歡迎了解。
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